据国外媒体报道，近日美国英特尔公司(Intel)已经宣布，计划到2013年年底将其CPU和SoC的生产过渡至14nm制程工艺中，并从2015年开始按计划展开10nm及以下制作工艺的研发工作。

在旧金山举行的英特尔开发者论坛(IDF)上，英特尔高级研究员马克?玻尔(Mark  Bohr)展示了一项研发蓝图，表明英特尔在半导体制造工艺技术方面将继续占有领导地位。

英特尔透露，即将推出的14nm工艺——代号为P1272和P1273  ——将于2013年底做好投产准备。该芯片供应商还表示将继续投资位于美国俄勒冈州的D1X晶圆厂、在亚利桑那州的Fb42晶圆厂和在爱尔兰的Feb24晶圆厂。

英特尔此前证实，这三个晶圆厂将采用14nm及以下的工艺技术。

此外，该公司表示，10nm、7nm和5nm制造工艺的研发将如期于2015年启动。

2011年5月，英特尔公司宣布了三维三栅极晶体管，可使芯片以更低电压、更少漏电流工作，同时提供比前代更高的性能和能源效率，可谓是一大突破。新晶体管中已被用于基于Ivy  Bridge的英特尔酷睿系列处理器，并将于2011年年底左右开始批量生产。