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戴尔最新闪存技术:每GB性能提高24倍

近日,戴尔宣布成为业内首家采用最新、最高密度、最低成本高性能企业闪存驱动器的存储阵列提供商,通过戴尔现代化、虚拟化的存储阵列架构和独特的智能数据存放技术,基于TLC 3D NAND技术,戴尔存储SC系列阵列采用新的主流读取密集型SSD。


据了解,这些技术与之前的闪存和硬盘选项相结合,整个存储分段上性价比更高的闪存和更高的存储密度,以满足从高端到入门级客户的全方位需求。如,戴尔存储SC4020全闪存解决方案,每GB定价低至1.66美元,每GB典型混合闪存配置的成本低至0.58美元,让企业以更低的存储成本更快速地访问关键数据。


戴尔最新闪存技术

戴尔存储副总裁兼总经理Alan Atkinson展示基于TLC 3D NAND技术研发的全新闪存驱动器


IDC方面表示,戴尔独有的智能数据存放战略,让SLC、MLC和TLC不同类型的闪存在多层架构中高效地部署,而多层架构比单层闪存阵列的性价比更高。戴尔宣布基于TLC 3D NAND技术的闪存驱动器使其存储密度达到每个机架单元45TB,每GB企业闪存存储成本降低到15K RPM硬盘的水平,而且性能大幅提升。


硬件产品上,戴尔进一步降低了企业采用闪存的成本门槛,包括混合闪存或全闪存阵列配置的戴尔存储SC8000、SC4020和SCv2000系列,大幅提高了低价通用阵列的性能,并大幅降低了高性能闪存优化阵列的成本。


戴尔最新闪存技术:每GB性能提高24倍

戴尔存储SC4020


通过容量最高可达3.8TB的全新驱动器,闪存对任何规模的企业变得更加实用。戴尔存储SC4020可以在2U机架空间内提供完整的90TB阵列。此外,戴尔存储SC8000阵列可以多支持62%的闪存,使得一个阵列中的原始闪存容量总计可达3PB。


戴尔存储SC系列阵列将从8月起开始支持基于TLC 3D NAND技术。



来自:本站 发布时间:2015-07-27 15:23:58



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